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【成果简介】近日，现场澳大利亚皇家墨尔本理工大学的SumeetWalia、现场NasirMahmood和TaimurAhmed（共同通讯作者）等人联合报道了一种SnS层，其厚度从单个单元晶格（0.8nm）到由金属液态锡合成的多个堆叠单元晶格（1.8nm）不等，横向尺寸为毫米级。（c-d）在不同波长下，组装站不同厚度SnS层在Pinc=2.5mWcm-2且Vds=2.0V时获得的响应度。
但是，特高过渡金属单硫系化合物（MX，M=Sn、Ge等，X=S，Se）仍待进一步开发。同时，压换压器运抵为发现可能存在于其他层状材料的量子极限处的独特性质提供了新思路。作为p-型半导体，流变SnS是一种成本低、流变含量丰富的具有可调带隙的层状材料，在原子级厚度时具有优异的载流子迁移率和大吸收系数的特性，使其对电子和光电子学十分有吸引力。
然而，青南由于形成不受控制的晶粒取向、缺陷和杂质，常规的生长和合成策略（化学气相沉积等）不能制备出优异的原子级SnS。换流（e）单元晶格厚SnS层的AFM图像。
【背景介绍】自石墨烯报道以来，世界首台二维（2D）材料一直是研究热点
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